机械化学研磨是利用软质磨粒与工件在接触点上产生的机械化学现象,以去除工件表面的微量材料。该方法经济性***、生产率高,可实现半导体等晶体的高精度加工。它有湿式和干式两种研磨方式。

　　湿式机械化学研磨可用于硅片的***终精加工。它采用粒径为0.01m的SiO2磨料微粉在弱碱性溶液中均匀混合的胶状液作研磨剂。研具表层敷有质研剂地细密的软质泡沫聚氨脂人造革。

　　研磨时,工件(硅片)直径较大,软质人造革平面无网眼,所以在高逮和高压的条件下,工件和研具表面间可形成研磨剂层。研具表面虽有徽小的凸凹,有些位置还和工件接触,但研磨剂一般均被封闭于工件和研具间。加工时硅片表面形成可被研具和磨粒去除的软质水化膜。这样,研磨不是直接由研具的机械作用产生,而是通过研具去除水化膜进行,所以能进行良***的研磨。

　　但是,实际加工并不完全像上述情况那样,硅片表面会因水化膜有时破裂而出现加工峡陷。不过这些缺陷可采用清洗或HF水溶液腐蚀等措施加以消除,仍可获得无任何加工缺陷的表面。提高研磨压力或减少研磨液的供给量,硅片表面的缺陷就增多;当提高研磨速度,由于水面飘浮现象而使研磨液膜层增厚,硅片表面的缺陷就减少。

　　为了提高研磨效率,可将机械化学研磨分为两步:**步加工采用较粗的磨料和通气性***的研具,以便使研磨液膜层减薄,有利于利用磨料和研具表面的机械作用破坏水化膜,使研具与硅片直接接触,从而提高研磨效率;第二步加工按正常方式研磨,以获得缺陷少的加工表面。